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GF、Everspin合作良好 STT-MRAM自旋磁阻内存升级

GlobalFoundries、Everspin联合发布,双方已经杀青新的相助,将使用GF 12LP(12nm FinFET)工艺来制造新一代STT-MRAM(自扭转移矩磁阻内存),包括自力的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。

MRAM是一种非易掉性存储,其前景被广泛看好,Intel、IBM、TDK三星、希捷等行业巨子多年来不停都在钻研,读写速率可以媲美SRAM、DRAM等传统内存,但同时又长短易掉性的,也便是可以断电保存数据,综合了传统内存、闪存的优点。

STT-MRAM则进一步经由过程自旋电流实现数据写入,具备布局简单、资源低、损耗小、速率快等一系列优点,只是容量密度提升艰苦,以是想取代内存、闪存暂时不现实,但异常得当用在各类嵌入式领域。

GF、Everspin的优越相助由来已久,2012年的第一代STT-MRAM便是用GF 40nm制造的,单颗容量32MB,2019年的第二代则进级为GF 28nm,单颗容量翻了两番达到128MB。

就在日前,GF 22FDX工艺成功试产了eMRAM,-40℃到125℃情况下可事情10万个周期,数据维持可长达10年。

进一步进级到12nm,自然有利于进一步提升MRAM的容量密度,并继承低落资源,尤其是跟着MRAM芯片容量的前进,迫切必要更先辈的工艺。

GF 12nm工艺包括12LP、12LP+两个版本,虽然算不上多先辈但也有广阔的用武之地,尤其得当节制器、微节制器等,比如群联电子、Sage的不少企业级SSD主控都计划加入eMRAM,从而提升机能、低落延迟、前进QoS。

虽然大年夜家可能感觉没见过MRAM,不过Everspin传播鼓吹已经向100多家客户出货了1.25亿颗MRAM芯片,还援引申报称到2029年自力MRAM芯片贩卖额可达40亿美元。

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